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欧洲杯基于运动控制卡TH0030A-MC和操作系统实现全

2021-04-26 23:01

  传动的居多。对注塑机进行全电机化是市场新要求,也是必然趋势。采用伺服系统对注塑机进行全电动化,是现在比较流行的做法。但由于伺服系统成本高,再加之海关税和增值税,使得伺服系统的产品在市场上缺乏价格竞争力。考虑到性价比和现在的技术,选择矢量控制变频器和带有实时操作系统的控制器控制三相交流异步电机,并采用智能控制算法,对注塑机进行全电动化,是一种可行的方案。

  采用Itron规格编写的RTOS与其它RTOS相比较,具有效率高、可靠性好、编程容易、移植性强、易于调试、简化通讯标准、高度的开放性、标准化等优点,是世界上工业应用最为广泛的实时操作系统,这表明Itron有潜力变成嵌入式RTOS的世界标准之一。

  嵌入了Itron RTOS运动芯片的运动控制卡TH0030A-MC,主要有两大技术优势:采用Itron规格编写的RTOS和功能强大的PCL6045芯片。

  采用Itron规格编写的RTOS和采用Itron规格编写的RTOS具有以下特点。

  B) 布局省线A-MC所有的信号输入、输出量,都做在几块单独的小板上,而不在主板上。每块小板控制一个轴,有几个轴需要控制,就添加几块小板。每块小板和主板之间的通讯通过一根ARCnet即可实现,省去了大量连线的麻烦,并可保证速度。另外,每块小板可以根据需要被单独地安装在任何位置,而不必考虑和其它小板及主板之间的关系。

  Itron RTOS属于抢占式操作系统,每个任务被分配一定的时间做处理,并有状态表示:“run”、“ready”、“w

  通讯,在程序运行的时候,可以方便地在PC上实时监测程序目前执行到什么地方。这样,方便了用户调试自己的程序,也利于数据的检测。E) 实时性

  Itron对于实时性的思路是:嵌入式系统在硬件优化和软件效率之间折衷考虑。Itron规范对应该通过微控制器硬件层次结构标准化的那些特征标志,和应该根据硬件及其功能性质优化的那些成份,都做了明确的区分。影响实时应用中响应时间的那些因素,一般都与作业转换功能和中断处理例行程序有关。Itron规范规定,在规定的高速作业转换时间上,可以将

  换出。也可以在发生外部中断时,旁路RTOS启动运行一个中断处理程序。F) 推广能力

  对于把RTOS用在工业实时控制上,Window CE还不够成熟,VxWorks价格太昂贵,

  实时性太差,Itron则没有它们的缺点,适合推广。功能强大的PCL6045芯片

  对于TH0030A运动卡,用户可自己编写和调用C语言函数对PCL6045芯片上的每个寄存器操作。PCL6045芯片可以同时控制四个轴。它可以对

  的数值产生倍频;可自行计算速度上升或下降的加速度或S曲线;可设定指令位置、计算机器实际位置、计算偏差位置;可锁住它们的位置;保存外部中断状态、错误中断状态、事件中断状态;可软件重置寄存器:可重置控制位置寄存器或机器位置寄存器等等。它使得对于多轴的位置或速度控制等,变得轻而易举。TH0030A运动卡的应用

  在注塑机这个行业里,控制对象要求高精密(射胶部分)、高响应(保压部分)、安全可靠(锁模部分),故选择TH0030A运动卡。控制系统的结构如图1所示。

  上位控制器有三大主要功能:设定控制参数和目标;显示控制结果;协调机器各环节的动作顺序。运动控制器的主要功能是在上位控制器的协调下,完成过程控制,如压力、位置以及速度的控制,并把控制的结果和相关状态传递给上位控制器。具体地,就是实现射胶电机、溶胶电机、

  模电机和顶出电机的控制。控制流程可以描述为:由上位控制器发出指令要实现何种控制(例如射胶的速度或压力控制),运动控制器将根据接受到的指令和实际状况,给出控制调节信号至

  ,变频器驱动电机旋转,电机通过永磁皮带与滚珠丝杠相连,将圆周运动转换成直线运动,从而实现速度、压力或位置的控制。软件程序的基本设计思路如图2所示, 全电注塑机的硬件控制原理框图如图3所示。

  通过平台可快速移植和使用方便是Itron的最大优点。由于嵌入式软件行业非常分散,在全世界有50多个软件厂家,如果有一个像Itron这样的标准,嵌入式软件产品只要被稍加修改就可用于以后的应用中,而无须考虑开发者使用的是什么样的微处理器。

  Itron RTOS与其它RTOS之间的基本差别在于,其它RTOS用软件中断来自内核程序库的调用功能;Itron RTOS则使用标准的

  格式调用,并且支持C/C++编程。在多任务中的诸多程序是并行执行的,采用优先权调度方式。每项任务被指定一个优先级,并采用一个叫做任务身份证(ID)的号码指定作业。任务块(TCB)含有用以管理作业的信息。Itron RTOS通过系统调用指令按TCB的数值来处理设定和修改。

  r_tsk(ID_Task)中止一个任务等。另外,这些函数的调用可以放在程序的任何地方,可以在需要的时候调用。(ID_Task指任务的

  Itron规格在国内目前鲜为人知,但其丰富的功能、优越的性能,及其开放性的政策,使其有潜力变成嵌入式RTOS的世界标准之一。另外,注塑机行业全电机化是必然趋势,用变频技术实现是可行的。基于独到的见解和大胆的设想,使用特制诱导电机、嵌入式运动控制卡、自主开发的控制算法,本文成功开发了低成本、高性能的诱导全电动注塑机。机器的电气成本同比降低了50%左右,控制性能比油压注塑机有大幅度的提高,不逊于国内厂家开发的通常概念的永磁全电动注塑机,在稳定性和寿命方面更有其优势。

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  CU04是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS无缓冲逆变器。它实现了类似于等效双极肖特基TTL的高速操作,同时保持CMOS低功耗。 输入可承受高达7V的电压,允许5V系统与3V系统的接口。 特性 高速:t PD = 3.5ns(典型值)在V CC = 5V 低功耗:I CC =2μA(Max),T A = 25 C 高抗噪性:V NIH = V NIL = 10%V CC (Min。) 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 专为2V至5.5V工作范围而设计 低噪音:V OLP = 0.8V(最大) 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容 闩锁性能超过300mA ESD性能:HBM

  2000V;机器型号

  200V 芯片复杂性:12个FET或3个等效门 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  04 MiniGateTM是一款先进的CMOS高速反相缓冲器,占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT04输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:tPD = 3.8 ns(典型值) )@ VCC = 5.0 V 低功耗:在TA = 25 C时ICC = 1uA(Max) TTL兼容输入:VIL = 0.8 V; VIH = 2.0 V CMOS兼容输出: VOH

  U04是单个无缓冲变频器,工作电压范围为1.65-5.5 V,采用非常流行的SC70 / SC88a / SOT-353封装或1.6 x 1.6 X.6 mm SOT553封装。 特性 微小的SOT-353和SOT-553封装 源/汇+ + - 16 mA,4.5 VV CC 过压容差输入和输出 带有NC7SZU04P5X,TC7SZU04FU和TC7SZU04AFE的引脚引脚 芯片复杂性:FETs = 20 设计用于1.65 V至5.5 VV CC 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图

  3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...

  Broadcom光纤(FO)短链路是一种经济高效的半导体产品,可在单个PCB上提供12 kV瞬态电流隔离。 FO Short Link基于650 nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子或医疗设备等应用。 FO Short Link产品提供爬电距离和间隙距离,最小值为18.1 mm。此外,HFBR-3810MSZ器件提供金属屏蔽选项,可提供更高的EMI和ESD抗扰度。 特性 金属屏蔽选项,可提供更高的EMI和ESD抗扰度 信号速率为DC至10MBaud的数据传输 具有CMOS / TTL输出的直流耦合接收器,易于设计;无需数据编码或数字化电路 高抗噪性 符合IEC 60664-1的瞬态电压抑制高达12kV 激光等级1,根据IEC-60825:修订2001 符合RoHS标准 应用 变频器/驱动器 电力电子 医疗/ X光设备 电隔离...

  Broadcom光纤(FO)短链路是一种经济高效的半导体产品,可在单个PCB上提供12 kV瞬态电流隔离。 FO Short Link基于650 nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子或医疗设备等应用。 HFBR-3810Z和HFBR-3810MSZ器件提供爬电距离和间隙距离,最小值为18.1 mm。 功能 信号速率为DC至10MBaud的数据传输 具有CMOS / TTL输出的直流耦合接收器,易于设计;无需数据编码或数字化电路 高抗噪性 符合IEC 60664-1的瞬态电压抑制高达12kV 激光等级1,根据IEC-60825:修订2001 符合RoHS标准 应用 变频器/驱动器 电力电子 医疗/ X光设备 电隔离...

  SMV512K32是一款高性能异步CMOS SRAM,由32位524,288个字组成。可在两种模式:主控或受控间进行引脚选择。主设件为用户提供了定义的自主EDAC擦除选项。从器件选择采用按要求擦除特性,此特性可由一个主器件启动。根据用户需要,可提供3个读周期和4个写周期(描述如下)。 特性 20ns读取,13.8ns写入(最大存取时间) 与商用 512K x 32 SRAM器件功能兼容 内置EDAC(错误侦测和校正)以减轻软错误 用于自主校正的内置引擎 CMOS兼容输入和输出电平,3态双向数据总线V内核 辐射性能放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。 设计使用基底工程和抗辐射(HBD)与硅空间技术公司(SST)许可协议下的

  TM 技术和存储器设计。 TID抗扰度> 3e5rad(Si) SER< 5e-17翻转/位 - 天使用(CRPLE96来计算用于与地同步轨道,太阳安静期的SER。 LET = 110 MeV (T = 398K) 采用76引线陶瓷方形扁平封装 可提供工程评估(/EM)样品这些部件只用于工程评估。它们的加工工艺为非兼容流程(例如,无预烧过程等),...

  与其它产品相比 D 类触发器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Rating Operating temperature range (C)   SN74HCT273A HCT     2     6     Catalog     -40 to 85

  与其它产品相比 D 类触发器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Rating Operating temperature range (C)   SN74HC273A HC     2     6     8     Catalog     -40 to 85

  SN74ALVCH16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

  这个16位边沿触发D型触发器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16374特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。它可以用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,触发器的Q输出取数据(D)输入的逻辑电平。 OE \可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65至3.6 V 最大tpd为4.2 ns,3.3 V 24-mA输出驱动在3.3 V 数据输入...

  SN74ALVCH16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

  这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。欧洲杯, 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常状态逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。 特性 德州仪器广播公司的成员?系列 工作电压范围为1.65 V至3.6 V 最大tpd3.6 ns,3.3 V ...

  SN74LVCH16373A 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

  这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 特性 德州仪器宽带总线系列成员 典型VOLP(输出接地反弹) < 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25C 典型VOHV(输出V

  OH Undershoot) > 2 V在VCC= 3.3 V,TA= 25C Ioff支持实时插入,部分 - 电源关闭模式和后驱动保护 支持混合模式信号操作(具有3.3VVCC的5V输入和输出电压)

  数据输入端的总线保持消除了对外部上拉或下拉电阻的需求 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护超过JESD 22

  2000-V人体模型(A114-A) 200-V机型(A115-A) 参数 与其它产品相比D 类锁存器 Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) ...

  SN74ABTH16260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

  SN54ABT16260和SN74ABTH16260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于必须复用两条独立数据路径的应用中,或者从单个数据路径中解复用。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...

  SN74ABT162823A 具有三态输出的 18 位总线位总线态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162823A器件可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN)\输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,从而锁存输出。将清零(CLR)\输入设为低电平会使Q输出变为低电平而与时钟无关。 缓冲输出使能(OE)\输入将9个输出置于正常逻辑状态(高电平)或低电平)或高阻抗状态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动器提供了驱动总线线路的能力,无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 输出设计为源电流或吸收电流高达12 mA,包括等效的25- 串联电阻,用于减少过冲和下冲。 这些器件完全符合热插拔规定使用Ioff和上电3状态的应用程序。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置...

  SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器

  ABTH162260是12位至24位多路复用D型锁存器,用于两个独立数据路径必须复用或复用的应用中。 ,单一数据路径。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。这些器件在存储器交错应用中也很有用。 三个12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或数据传输。输出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)输入控制总线B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。 可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时,锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时,输入端的数据被锁存并保持锁存状态,直到锁存使能输入返回高电平为止。 B端口输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25系列电阻,以减少过冲和下冲。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过...

  SN74ABT162841 具有三态输出的 20 位总线接口 D 类锁存器

  这些20位透明D型锁存器具有同相三态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,相应的10位锁存器的Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(10E或2OE)输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。欧洲杯 输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。 这些器件完全适用于使用I的热插入应用关闭并启动3状态。 Ioff电路禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电路将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 为确保上电或断电期间的高阻态, OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据...

  SN74ALVTH16821 具有三态输出的 2.5V/3.3V 20 位总线位总线 VVCC操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。 这些器件可用作两个10位触发器或一个20位触发器。 20位触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在D输入端设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将10个输出置于正常逻辑状态(高电平或低电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 SN54ALVTH16821的特点是可在-55C至125C的整个军用温度范围内工作。 SN74ALVTH16821的工作温度范围为-40&de...

  SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器

  ALVTH16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,设计用于2.5V或3.3VV

  CC 操作,但能够为5 V系统环境提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p

  当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ALVTH16374的特点是在-55C至125C的整个军用温度...

  SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ABTH16823可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN \)输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,锁存输出。将清零(CLR \)输入置为低电平会使Q输出变为低电平,与时钟无关。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高阻抗状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电路,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...

  SN74AHCT16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

  SNxAHCT16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 特性 德州仪器Widebus系列的成员 EPIC(增强型高性能注入CMOS)工艺 输入兼容TTL电压 分布式VCC和GND引脚最大限度地提高高速 开关噪声 流通式架构优化PCB布局 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD保护每个MIL-STD超过2000 V- 883, 方法3015;使用机器型号超过200 V(C = 200 pF,R = 0) 封装选项包括: 塑料收缩小外形(DL)封装

  薄收缩小外形(DGG)封装 薄超小外形(DGV)封装 80-mil精细间距陶瓷扁平(WD)封装 25密耳的中心间距 参数 与其它产品相比D 类锁存器 ...